SK海力士对外透露，将加快提升第六代10纳米级（1c）工艺的占比，同时扩大DDR5及面向AI服务器的LPDDR5 SOCAMM的销售额，以此优化DRAM产品结构，聚焦高附加值领域。为应对HBM需求的快速增长，公司计划在年底前将M15X工厂的产能调至最高水平，从而增加HBM4的产量。基于这一安排，SK海力士预估，第四季度HBM4在出货量和营收上将双双超过HBM3E，成为核心产品。在NAND闪存业务上，公司计划第四季度将321层工艺在韩国本土产能中的比例提升至50%以上，以增加高性能、大容量eSSD的供应。（界面）